MOSFET doble canal N de 30 V (D-S) Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 100 A, PowerPAIR 3 x 3FS de 12 pines, 2, config.
- Código RS:
- 252-0294
- Referência do fabricante:
- SIZF5302DT-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 252-0294
- Referência do fabricante:
- SIZF5302DT-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET doble canal N de 30 V (D-S) | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | PowerPAIR 3 x 3FS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 12 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0032Ω | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6.7nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 48.1W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET doble canal N de 30 V (D-S) | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado PowerPAIR 3 x 3FS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 12 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0032Ω | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.7nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 48.1W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
La línea de productos de MOSFET Vishay Siliconix incluye una amplia gama de tecnologías avanzadas. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El efecto de campo significa que están controlados por tensión. Los MOSFET de canal N contienen electrones adicionales que pueden moverse libremente. Son un tipo de canal más popular. Los MOSFET de canal N funcionan cuando se aplica una carga positiva al terminal de puerta.
MOSFET de potencia TrenchFET Gen V
Canal N doble simétrico
Tecnología flip chip de diseño térmico óptimo
MOSFET de lado alto y lado bajo de forma optimizada
Combinación para un ciclo de trabajo del 50 %
RDS Optimizado - Qg y RDS - FOM Qgd que aumenta la eficiencia
Para desplazamiento de alta frecuencia
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