MOSFET doble canal N de 30 V (D-S) Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 100 A, PowerPAIR 3 x 3FS de 12 pines, 2, config.

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Código RS:
252-0294
Referência do fabricante:
SIZF5302DT-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET doble canal N de 30 V (D-S)

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

PowerPAIR 3 x 3FS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

12

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0032Ω

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6.7nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16 V

Disipación de potencia máxima Pd

48.1W

Configuración de transistor

Doble

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

La línea de productos de MOSFET Vishay Siliconix incluye una amplia gama de tecnologías avanzadas. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El efecto de campo significa que están controlados por tensión. Los MOSFET de canal N contienen electrones adicionales que pueden moverse libremente. Son un tipo de canal más popular. Los MOSFET de canal N funcionan cuando se aplica una carga positiva al terminal de puerta.

MOSFET de potencia TrenchFET Gen V

Canal N doble simétrico

Tecnología flip chip de diseño térmico óptimo

MOSFET de lado alto y lado bajo de forma optimizada

Combinación para un ciclo de trabajo del 50 %

RDS Optimizado - Qg y RDS - FOM Qgd que aumenta la eficiencia

Para desplazamiento de alta frecuencia

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