MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 0.28 A, Mejora, SOT-323 de 3 pines
- Código RS:
- 250-0541
- Referência do fabricante:
- BSS138WH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
153,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 06 de outubro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,051 € | 153,00 € |
| 6000 - 12000 | 0,048 € | 144,00 € |
| 15000 + | 0,046 € | 138,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 250-0541
- Referência do fabricante:
- BSS138WH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 0.28A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | BSS | |
| Encapsulado | SOT-323 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 0.28A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie BSS | ||
Encapsulado SOT-323 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Infineon fabrica SIPMOS, un transistor de señal pequeña, de canal N y modo de mejora. El dispositivo tiene un valor nominal dv /dt y presenta chapado sin plomo. Tiene Vds de 60 V, Rds(on)max es de 3,5 Ω y Id es de 0,28 A. Es un transistor de modo de mejora de canal P sin halógenos ampliamente utilizado en aplicaciones de conmutación alta. Tiene un nivel de avalancha y no contiene halógenos.
100 % sin plomo
La disipación de potencia máxima es de 360 mW
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSS138WH6327XTSA1, VDSS 40 V, ID 0.28 A, Mejora, SOT-323 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 0.28 A, Mejora, SOT-323 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon BSS209PWH6327XTSA1, VDSS 40 V, ID 0.28 A, Mejora, SOT-323 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 0.23 A, Mejora, SOT-323 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon SN7002WH6327XTSA1, VDSS 60 V, ID 0.23 A, Mejora, SOT-323 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 8 V, ID 1.5 A, Mejora, SOT-323 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal ROHM RUF025N02TL, VDSS 20 V, ID 2.5 A, Mejora, SOT-323 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi NTS2101PT1G, VDSS 8 V, ID 1.5 A, Mejora, SOT-323 de 3 pines