MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 0.12 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 bobina de 4000 unidades)*

760,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 16 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
4000 +0,19 €760,00 €

*preço indicativo

Código RS:
250-0533
Referência do fabricante:
BSP296NH6433XTMA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

0.12A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

SOT-223

Serie

BSP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Tensión directa Vf

1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El transistor de señal pequeña OptiMOS de Infineon tiene un canal N, modo de mejora y nivel lógico Tiene un valor nominal de 4,5 V. Tiene clasificación de avalancha, 100 % sin plomo y sin halógenos.

Clasificación de avalancha y 100 % sin plomo

Vds es de 100 V e ID es de 1,2 A

Links relacionados