MOSFET, Tipo N-Canal Infineon AUIRFR2407TRL, VDSS 75 V, ID 42 A, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 249-6874
- Referência do fabricante:
- AUIRFR2407TRL
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
2,84 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 167 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 2,84 € |
| 10 - 49 | 2,71 € |
| 50 - 99 | 2,60 € |
| 100 - 249 | 2,46 € |
| 250 + | 2,33 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 249-6874
- Referência do fabricante:
- AUIRFR2407TRL
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 42A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 75V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | AUIRFS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 42A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 75V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie AUIRFS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de potencia HEXFET de Infineon incorpora las últimas técnicas de procesamiento para lograr una baja resistencia de conexión por área de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo robusto por los que son conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en automoción y una amplia variedad de otras aplicaciones.
Tecnología planar avanzada
Baja resistencia de conexión
Valor nominal dinámico dv/dt
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Conmutación rápida
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 42 A, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS -55 V, ID -42 A, TO-263
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon AUIRF4905STRL, VDSS -55 V, ID -42 A, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 170 A, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 230 A, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 80 A, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFS3207ZTRRPBF, VDSS 75 V, ID 170 A, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFS3607TRLPBF, VDSS 75 V, ID 80 A, TO-263