MOSFET, Tipo N-Canal Infineon AUIRF1404Z, VDSS 75 V, ID 230 A, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 249-6866
- Referência do fabricante:
- AUIRF1404Z
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
7,86 €
Adicione 11 unidades para obter entrega gratuita
Em stock
- Mais 908 unidade(s) para enviar a partir do dia 23 de fevereiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 7,86 € |
| 10 - 24 | 7,46 € |
| 25 - 49 | 7,14 € |
| 50 - 99 | 6,84 € |
| 100 + | 6,67 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 249-6866
- Referência do fabricante:
- AUIRF1404Z
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 230A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 75V | |
| Serie | AUIRFS | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 16.51mm | |
| Altura | 4.83mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 10.67 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 230A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 75V | ||
Serie AUIRFS | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 16.51mm | ||
Altura 4.83mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 10.67 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de potencia HEXFET de Infineon utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión extremadamente baja por área de silicio. Otras características adicionales de este diseño son una temperatura de funcionamiento de unión de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y valor nominal de avalancha repetitiva mejorado.
Tecnología de procesos avanzados
Resistencia de conexión ultrabaja
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Conmutación rápida
Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax
Sin plomo, conformidad con RoHS
Calificación de automoción
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 230 A, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon AUIRF3205, VDSS 75 V, ID 230 A, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 230 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon AUIRF6215, VDSS 75 V, ID 230 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 180 A, TO-220
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 170 A, TO-220
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 87 A, TO-220
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 183 A, TO-220
