MOSFET, Tipo P-Canal Infineon AUIRF6215, VDSS 75 V, ID 230 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 249-6870
- Referência do fabricante:
- AUIRF6215
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Sem stock actualmente
Não sabemos se este item estará de novo em stock, a RS pretende retirá-lo em breve da sua gama.
- Código RS:
- 249-6870
- Referência do fabricante:
- AUIRF6215
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 230A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 75V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 230A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 75V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de potencia HEXFET de Infineon incorpora las últimas técnicas de procesamiento para lograr una baja resistencia de conexión por área de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo robusto por los que son conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en automoción y una amplia variedad de otras aplicaciones.
Tecnología planar avanzada
Baja resistencia de conexión
Valor nominal dinámico dv/dt
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Conmutación rápida
Links relacionados
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 230 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 230 A, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 230 A, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon AUIRF1404Z, VDSS 75 V, ID 230 A, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon AUIRF3205, VDSS 75 V, ID 230 A, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon AUIRFR5305TR, VDSS 75 V, ID 230 A, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 75 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF2807ZPBF, VDSS 75 V, ID 75 A, Mejora, TO-220 de 3 pines