MOSFET Wolfspeed, Tipo N-Canal, VDSS 1200 V, ID 10.7 A, Mejora
- Código RS:
- 248-8948
- Referência do fabricante:
- CCB021M12FM3
- Fabricante:
- Wolfspeed
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- Código RS:
- 248-8948
- Referência do fabricante:
- CCB021M12FM3
- Fabricante:
- Wolfspeed
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Wolfspeed | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10.7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Tipo de montaje | Chasis | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 21mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 15 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 469W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Wolfspeed | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10.7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Tipo de montaje Chasis | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 21mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 15 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 469W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
Módulo de medio puente de carburo de silicio completo Wolfspeed de 1200 V, 11 mΩ. Los módulos de potencia basados en SiC Wolfspeed WolfPACK™ son sencillos y están diseñados para proporcionar alimentación limpia y fiable para sistemas de conversión de energía. Estos módulos ofrecen pérdidas increíblemente bajas en un encapsulado que se presta muy bien a automatización y fabricación a escala. Estos módulos Wolfspeed WolfPACK tienen configuraciones de MOSFET SiC de medio puente y MOSFET SiC de seis paquetes con una variedad de opciones de mΩ. Los dispositivos presentan un tamaño compacto y se pueden utilizar para diseñar un sistema simplificado de mayor densidad de potencia. Pueden ayudar a los diseñadores de sistemas a lograr una solución más compacta de lo que se puede lograr con varios dispositivos discretos o con módulos de alta amplitud más grandes.
Pérdida ultrabaja
Funcionamiento de alta frecuencia
Corriente final de desconexión cero desde MOSFET
Funcionamiento de dispositivo apagado normalmente, sin fallos
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