MOSFET, Tipo N-Canal Wolfspeed, VDSS 1200 V, ID 10.7 A, Mejora, TO-247 de 4 pines
- Código RS:
- 248-8937
- Referência do fabricante:
- C3M0060065K
- Fabricante:
- Wolfspeed
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- 248-8937
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Wolfspeed | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10.7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 21mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 469W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 46nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 15 V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 5.21mm | |
| Anchura | 16.13 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 23.63mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Wolfspeed | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10.7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 21mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 469W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 46nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 15 V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 5.21mm | ||
Anchura 16.13 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 23.63mm | ||
Estándar de automoción No | ||
La tecnología MOSFET C3MTM de carburo de silicio de potencia Wolfspeed está en modo de mejora de canal N. Los MOSFET de 650 V Wolfspeeds están optimizados para aplicaciones de electrónica de potencia de alto rendimiento, incluidas fuentes de alimentación de servidor, sistemas de carga de vehículos eléctricos y mucho más.
Tecnología SiC MOSFET de 3a generación
Tensión de bloqueo alta con baja resistencia de encendido
Conmutación de alta velocidad con bajas capacitancias
Diodo intrínseco rápido con baja recuperación inversa (Qrr)
Sin halógenos, conforme a RoHS
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