MOSFET, Tipo P-Canal DiodesZetex, VDSS 12 V, ID 160 mA, Mejora, SOIC de 8 pines
- Código RS:
- 246-6844
- Referência do fabricante:
- DMP65H20D0HSS-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- Código RS:
- 246-6844
- Referência do fabricante:
- DMP65H20D0HSS-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 160mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 12V | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 20mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.73W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 4.9mm | |
| Altura | 1.45mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 160mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 12V | ||
Encapsulado SOIC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 20mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.73W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 4.9mm | ||
Altura 1.45mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
DiodesZetex es un MOSFET de modo de mejora de canal P, diseñado para minimizar la resistencia en estado activo (RDS(ON)) y al mismo tiempo mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia. Es un dispositivo ecológico y totalmente libre de plomo, halógenos y antimonio. Este MOSFET se suministra en un encapsulado SO-8. Ofrece conmutación rápida y alta eficiencia.
La tensión máxima de drenaje a fuente es de 600 V y la tensión máxima de puerta a fuente es de ±30 V. Ofrece una resistencia de conexión baja Tiene un valor nominal BVDSS alto para aplicaciones de potencia. Ofrece una baja capacitancia de entrada
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