MOSFET, Tipo P-Canal DiodesZetex DMP65H13D0HSS-13, VDSS 12 V, ID 10.7 A, Mejora, SOIC de 8 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 10 unidades)*

13,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Encomendas inferiores a 80,00 € (IVA exc.) têm um custo de 7,00 €.
Últimas unidades em stock
  • Última(s) 3370 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
10 - 401,30 €13,00 €
50 - 901,274 €12,74 €
100 - 4901,01 €10,10 €
500 +0,894 €8,94 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
246-7533
Referência do fabricante:
DMP65H13D0HSS-13
Fabricante:
DiodesZetex
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

DiodesZetex

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

10.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

12V

Serie

DMP65H

Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

41mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

13.4nC

Disipación de potencia máxima Pd

1.73W

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

1.45 mm

Longitud

4.9mm

Altura

6mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

DiodesZetex fabrica MOSFET diseñados para minimizar la resistencia en estado activo (RDS(ON)) y al mismo tiempo mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia. Es un dispositivo ecológico y totalmente libre de plomo, halógenos y antimonio. Este MOSFET se suministra en un encapsulado SO-8. Ofrece conmutación rápida y alta eficiencia.

La tensión máxima de drenaje a fuente es de 600 V y la tensión máxima de puerta a fuente es de ±30 V. Ofrece una resistencia de conexión baja Tiene un valor nominal BVDSS alto para aplicaciones de potencia. Ofrece una baja capacitancia de entrada

Links relacionados

Recently viewed