MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, US, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 246-6815
- Referência do fabricante:
- DMN61D9UDWQ-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- Código RS:
- 246-6815
- Referência do fabricante:
- DMN61D9UDWQ-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | US | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 0.37W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.4V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado US | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 0.37W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.4V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
El DiodesZetex produce un MOSFET de modo de mejora de canal N dual, diseñado para cumplir los estrictos requisitos de aplicaciones de automoción. Es un dispositivo ecológico y totalmente libre de plomo, halógenos y antimonio. Este MOSFET se suministra en un encapsulado SOT363. Ofrece conmutación rápida y alta eficiencia.
La tensión máxima de drenaje a fuente es de 60 V y la tensión máxima de puerta a fuente es de ±20 V. Ofrece un tamaño de encapsulado ultrapequeño. Tiene fugas de entrada/salida bajas
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