MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 261 mA, US, Mejora de 6 pines, config. Doble
- Código RS:
- 222-2843
- Referência do fabricante:
- DMN62D4LDW-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- Código RS:
- 222-2843
- Referência do fabricante:
- DMN62D4LDW-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 261mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | DMN | |
| Encapsulado | US | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.51nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 0.45W | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | |
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|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 261mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie DMN | ||
Encapsulado US | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.51nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 0.45W | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | ||
El MOSFET de modo de mejora de canal n doble DiodesZetex está diseñado para minimizar la resistencia de estado de conexión (RDS(ON)) al tiempo que mantiene un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia.
MOSFET doble de canal N
Baja resistencia
Baja tensión umbral de compuerta
Baja capacitancia de entrada
Velocidad de conmutación rápida
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