MOSFET, N-Canal onsemi NTMFS6H824NT1G, VDSS 1.2 kV, ID 58 A, N, DFN de 5 pines

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Código RS:
244-9186
Referência do fabricante:
NTMFS6H824NT1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

58A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1.2kV

Encapsulado

DFN

Serie

NTM

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

22mΩ

Modo de canal

N

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22V

Disipación de potencia máxima Pd

117W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

38nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La tensión de drenaje a fuente del MOSFET ON Semiconductor es de 60 V y la tensión puerta a fuente es de ±20 V.

Pequeño tamaño (5 x 6 mm) para diseño compacto

Baja RDS(on) para minimizar pérdidas de conducción

Valores bajos de capacitancia y QG para minimizar las pérdidas del controlador

Estos dispositivos no contienen plomo y son conformes con RoHS

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