MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 1200 V, ID 58 A, N, DFN de 5 pines
- Código RS:
- 244-9186
- Referência do fabricante:
- NTMFS6H824NT1G
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 1500 unidades)*
1 180,50 €
Informações de stock atualmente inacessíveis - Verifique novamente mais tarde
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 1500 + | 0,787 € | 1 180,50 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 244-9186
- Referência do fabricante:
- NTMFS6H824NT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 58A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | DFN | |
| Serie | NTM | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 22mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 117W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 38nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 58A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado DFN | ||
Serie NTM | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 22mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 117W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 38nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
La tensión de drenaje a fuente del MOSFET ON Semiconductor es de 60 V y la tensión puerta a fuente es de ±20 V.
Pequeño tamaño (5 x 6 mm) para diseño compacto
Baja RDS(on) para minimizar pérdidas de conducción
Valores bajos de capacitancia y QG para minimizar las pérdidas del controlador
Estos dispositivos no contienen plomo y son conformes con RoHS
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMFS6H824NT1G, VDSS 1200 V, ID 58 A, N, DFN de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 1200 V, ID 58 A, N, DFN de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMFS5C645NT1G, VDSS 1200 V, ID 58 A, N, DFN de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 1200 V, ID 58 A, N, DFN-5 de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMFS3D2N10MDT1G, VDSS 1200 V, ID 58 A, N, DFN-5 de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 1200 V, ID 58 A, Mejora, DFN-5 de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMFS002N10MCLT1G, VDSS 1200 V, ID 58 A, Mejora, DFN-5 de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 1200 V, ID 58 A, N, WDFN de 8 pines