MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPN60R360PFD7SATMA1, VDSS 650 V, ID 100 A, SOT-223 de 3 pines
- Código RS:
- 244-2269
- Referência do fabricante:
- IPN60R360PFD7SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
2,54 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- Mais 2630 unidade(s) para enviar a partir do dia 26 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,508 € | 2,54 € |
| 50 - 120 | 0,418 € | 2,09 € |
| 125 - 245 | 0,392 € | 1,96 € |
| 250 - 495 | 0,368 € | 1,84 € |
| 500 + | 0,336 € | 1,68 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 244-2269
- Referência do fabricante:
- IPN60R360PFD7SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Serie | IPN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3mΩ | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Serie IPN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3mΩ | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de superunión CoolMOS™ PFD7 de 600V V Infineon (IPN60R360PFD7S) complementa la oferta CoolMOS™ 7 para aplicaciones de consumo. El IPN60R360PFD7S en un encapsulado SOT-223 dispone de RDS(on) de 360mOhm MHz que da como resultado bajas pérdidas de conmutación.
RDS(on) x Eoss de FOM muy baja
Diodo de cuerpo rápido robusto integrado
Protección ESD de hasta 2kV kV
Amplia gama de valores RDS(ON)
Excelente resistencia de conmutación
EMI bajo
Amplia cartera de paquetes
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 100 A, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 3 A, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPN60R2K0PFD7SATMA1, VDSS 650 V, ID 3 A, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 16 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon IPN60R600P7SATMA1, VDSS 650 V, ID 16 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET Infineon, VDSS 55 V, ID 5 A, SOT-223
- MOSFET Infineon IRLL024ZTRPBF, VDSS 55 V, ID 5 A, SOT-223
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 1.6 A, SOT-223