MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPN60R2K0PFD7SATMA1, VDSS 650 V, ID 3 A, SOT-223 de 3 pines
- Código RS:
- 244-2267
- Referência do fabricante:
- IPN60R2K0PFD7SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 244-2267
- Referência do fabricante:
- IPN60R2K0PFD7SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | IPN | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3mΩ | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie IPN | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3mΩ | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de superunión CoolMOS™ PFD7 de 600V V Infineon (IPN60R2K0PFD7S) complementa la oferta CoolMOS™ 7 para aplicaciones de consumo. Esta familia de productos está diseñada para una densidad de potencia ultraalta y para diseños de máxima eficiencia.
Pérdidas extremadamente bajas debido a un nivel muy bajo de FOM RDS(on)*QG y RDS(on)*Eoss
Pérdidas de conmutación bajas Eoss, excelente comportamiento térmico
Diodo de cuerpo rápido
Amplia gama de RDS(on) y variaciones de encapsulado
Diodo zener integrado
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