MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 100 A, SOT-223 de 3 pines
- Código RS:
- 244-2268
- Referência do fabricante:
- IPN60R360PFD7SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 244-2268
- Referência do fabricante:
- IPN60R360PFD7SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Serie | IPN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Serie IPN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de superunión CoolMOS™ PFD7 de 600V V Infineon (IPN60R360PFD7S) complementa la oferta CoolMOS™ 7 para aplicaciones de consumo. El IPN60R360PFD7S en un encapsulado SOT-223 dispone de RDS(on) de 360mOhm MHz que da como resultado bajas pérdidas de conmutación.
RDS(on) x Eoss de FOM muy baja
Diodo de cuerpo rápido robusto integrado
Protección ESD de hasta 2kV kV
Amplia gama de valores RDS(ON)
Excelente resistencia de conmutación
EMI bajo
Amplia cartera de paquetes
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