MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 180 A, N, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
244-0881
Referência do fabricante:
IPD95R750P7ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

180A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

IPD

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.7mΩ

Modo de canal

N

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de 950 V de la serie CoolMOS P7 de Infineon marca un nuevo punto de referencia en tecnologías de superunión de 950 V y combina un rendimiento excelente con una facilidad de uso vanguardiardista, resultado de la innovación de tecnología de superunión pionera de Infineon durante más de 18 años.

FOM RDS(on) excelente * Eoss

DPAK RDS(on) excelente

V(GS)th excelente de 3 V

Cartera completamente optimizada

Protección ESD de diodo Zener integrada

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