MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 192 A, PQFN de 8 pines
- Código RS:
- 243-9298
- Referência do fabricante:
- IRFH8324TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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| 4000 + | 0,192 € | 768,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 243-9298
- Referência do fabricante:
- IRFH8324TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 192A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | IRFH | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.7mΩ | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 5.3mm | |
| Longitud | 6.3mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 1.2mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 192A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie IRFH | ||
Encapsulado PQFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.7mΩ | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 5.3mm | ||
Longitud 6.3mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 1.2mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de potencia de canal N IRFH8324TRPBF de Infineon está optimizado para capacidad de corriente alta y RDS(on) baja. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.
Baja resistencia térmica a PCB (<2,3 °C/W)
Diodo de cuerpo más suave en comparación con la generación anterior de silicio
Perfil bajo (<1,2 mm)
Compatible con técnicas de montaje en superficie existentes
Conforme con RoHS. Sin plomo, sin bromuro y sin halógenos
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