MOSFET Nexperia, VDSS 30 V, ID 10.3 A, TO-247

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Código RS:
243-4619
Referência do fabricante:
GAN041-650WSBQ
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

10.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

13.6mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El FET de nitruro de gallio (GaN) de Nexperia en un encapsulado TO-247 es un dispositivo normalmente apagado que combina la última tecnología GaN HEMT H2 de alta tensión de Nexperia y tecnologías MOSFET de silicio de baja tensión que ofrecen fiabilidad y rendimiento superiores.

Carga de recuperación inversa ultrabaja.

Controlador de puerta sencillo (0 V a +10 V o 12 V)

Óxido de puerta robusto (capacidad de ±20 V)

Tensión de umbral de puerta alta (+4 V) para una inmunidad de rebote de puerta muy buena.

Tensión de drenaje de fuente muy baja en modo de conducción inversa.

Capacidad de sobretensión transitoria

Conversores de conmutación rígidos y suaves para potencia industrial y de telecomunicaciones de datos

Polo tótem sin puentes PFC

Inversores PV y UPS

Accionamientos de servomotor

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