MOSFET Nexperia GAN041-650WSBQ, VDSS 30 V, ID 10.3 A, TO-247
- Código RS:
- 243-4620
- Referência do fabricante:
- GAN041-650WSBQ
- Fabricante:
- Nexperia
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
21,52 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 30 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 4 | 21,52 € |
| 5 - 9 | 21,10 € |
| 10 - 299 | 19,78 € |
| 300 + | 19,39 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 243-4620
- Referência do fabricante:
- GAN041-650WSBQ
- Fabricante:
- Nexperia
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Nexperia | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 13.6mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Nexperia | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 13.6mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El FET de nitruro de gallio (GaN) de Nexperia en un encapsulado TO-247 es un dispositivo normalmente apagado que combina la última tecnología GaN HEMT H2 de alta tensión de Nexperia y tecnologías MOSFET de silicio de baja tensión que ofrecen fiabilidad y rendimiento superiores.
Carga de recuperación inversa ultrabaja.
Controlador de puerta sencillo (0 V a +10 V o 12 V)
Óxido de puerta robusto (capacidad de ±20 V)
Tensión de umbral de puerta alta (+4 V) para una inmunidad de rebote de puerta muy buena.
Tensión de drenaje de fuente muy baja en modo de conducción inversa.
Capacidad de sobretensión transitoria
Conversores de conmutación rígidos y suaves para potencia industrial y de telecomunicaciones de datos
Polo tótem sin puentes PFC
Inversores PV y UPS
Accionamientos de servomotor
Links relacionados
- MOSFET Nexperia, VDSS 30 V, ID 10.3 A, TO-247
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 30 V, ID 10.3 A, LFPAK88 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 30 V, ID 10.3 A, LFPAK56E de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 30 V, ID 10.3 A, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN4R8-100YSEX, VDSS 30 V, ID 10.3 A, LFPAK56E de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN2R0-55YLHX, VDSS 30 V, ID 10.3 A, LFPAK56E de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia BUK7S2R0-40HJ, VDSS 30 V, ID 10.3 A, LFPAK88 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PMV13XNEAR, VDSS 30 V, ID 10.3 A, SOT-23 de 3 pines