MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 273 A, N, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 242-5829
- Referência do fabricante:
- IPB60R070CFD7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 242-5829
- Referência do fabricante:
- IPB60R070CFD7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 273A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | iPB | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.7mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 273A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie iPB | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.7mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- MY
El MOSFET de unión Super de Infineon en encapsulado D2PAK es ideal para topologías resonantes en SMPS de alta potencia, como servidores, telecomunicaciones y estaciones de carga EV, donde permite mejoras significativas de eficiencia. Como sucesor de la familia CFD2 SJ de MOSFET, se suministra con carga de puerta reducida, comportamiento de desconexión mejorado y carga de recuperación inversa hasta un 69 % menor en comparación con la competencia.
Diodo de cuerpo ultrarrápido
La mejor carga de recuperación inversa de su clase (Qrr)
Resistencia mejorada del diodo inverso dv/dt y dif/dt
La más baja FOM RDS(on) x Qg y EOSS
Excelente resistencia de conmutación dura
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