MOSFET Infineon IPB017N10N5ATMA1, VDSS 100 V, ID 273 A, D2PAK (TO-263) de 7 pines

El MOSFET de Infineon está especialmente diseñado para rectificación síncrona en bloques de telecomunicaciones, incluida protección Or-ing, intercambio en caliente y batería, así como para aplicaciones de fuente de alimentación de servidor. El dispositivo tiene una RDS(on) más baja del 22% en comparación con dispositivos similares, uno de los mayores contribuyentes a esta FOM líder en la industria es la baja resistencia de estado on que proporciona el más alto nivel de densidad de potencia y eficiencia.

Optimizado para rectificación síncrona
Ideal para alta frecuencia de conmutación
Reducción de la capacitancia de salida de hasta el 44 % Reducción del RDS(on) de hasta el 43 % respecto a la generación anterior
Mayor eficiencia del sistema
Reducción de pérdidas de conmutación y conducción