MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SQS405CENW-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 214 A, Mejora, POWERPAK 1212-8W de 8 pines
- Código RS:
- 239-8685
- Referência do fabricante:
- SQS405CENW-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 25 unidades)*
16,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 3025 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | 0,64 € | 16,00 € |
| 250 - 600 | 0,602 € | 15,05 € |
| 625 - 1225 | 0,544 € | 13,60 € |
| 1250 - 2475 | 0,512 € | 12,80 € |
| 2500 + | 0,48 € | 12,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 239-8685
- Referência do fabricante:
- SQS405CENW-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 214A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | POWERPAK 1212-8W | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.02Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 197W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 38nC | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 125°C | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 214A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado POWERPAK 1212-8W | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.02Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 197W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 38nC | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 125°C | ||
Longitud 3.3mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El Vishay SQS es un MOSFET de canal P de automoción que funciona a 40 V y 175 °C de temperatura. Este MOSFET se utiliza para alta densidad de potencia.
Calificación AEC-Q101
Probado conforme a UIS
Links relacionados
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 40 V, ID 214 A, Mejora, POWERPAK 1212-8W de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQS460CENW-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 8 A, Mejora, POWERPAK 1212-8W de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQSA82CENW-T1_GE3, VDSS 80 V, ID 16 A, Mejora, POWERPAK 1212-8W de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQS140ELNW-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 214 A, Mejora, PowerPAK 1212-8SLW de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQS140ENW-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 214 A, Reducción, PowerPAK 1212-8SLW de 8 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SQS840CENW-T1_BE3, VDSS 40 V, ID 12 A, Mejora, POWERPAK 1212-8W de 8 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SQS484CENW-T1_BE3, VDSS 40 V, ID 16 A, Mejora, POWERPAK 1212-8W de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SQ7415CENW-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 11.5 A, PowerPAK 1212 de 8 pines