MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQSA82CENW-T1_GE3, VDSS 80 V, ID 16 A, Mejora, POWERPAK 1212-8W de 8 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 25 unidades)*

11,025 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Informação de stock atualmente indisponível
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
25 - 250,441 €11,03 €
50 - 750,432 €10,80 €
100 - 2250,329 €8,23 €
250 - 9750,323 €8,08 €
1000 +0,20 €5,00 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
268-8375
Referência do fabricante:
SQSA82CENW-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

16A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

POWERPAK 1212-8W

Serie

SQS

Tipo de montaje

Montaje en PCB

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.073Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

22nC

Disipación de potencia máxima Pd

27W

Tensión directa Vf

0.8V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

3.3mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origem):
CN
El MOSFET de potencia TrenchFET de canal N de automoción de Vishay es un dispositivo sin plomo ni halógenos. Se trata de un MOSFET de configuración única y un dispositivo de tipo de montaje en superficie.

Certificación AEC Q101

Conforme con ROHS

Links relacionados