MOSFET, N-Canal Vishay SQJQ150E-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 445 A, Reducción, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- Código RS:
- 239-8679
- Referência do fabricante:
- SQJQ150E-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 2000 unidades)*
1 892,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 23 de junho de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2000 + | 0,946 € | 1 892,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 239-8679
- Referência do fabricante:
- SQJQ150E-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 445A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | PowerPAK (8x8L) | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0019Ω | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 255W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 43nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 125°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.15mm | |
| Anchura | 4.9mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 445A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado PowerPAK (8x8L) | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0019Ω | ||
Modo de canal Reducción | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 255W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 43nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 125°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.15mm | ||
Anchura 4.9mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El Vishay SQJQ es un MOSFET de canal N de automoción que funciona a 40 V y 175 °C de temperatura. Este MOSFET se utiliza para alta densidad de potencia.
Calificación AEC-Q101
Probado conforme a UIS
Links relacionados
- MOSFET, N-Canal Vishay SQJQ150E-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 445 A, Reducción, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SQJQ112E-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 445 A, Reducción, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SQJQ130EL-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 445 A, Mejora, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SQJA16EP-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 278 A, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SQJ180EP-T1_GE3, VDSS 80 V, ID 248 A, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SQJ174EP-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 293 A, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SQJQ160E-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 602 A, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SQJ138ELP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 315 A, PowerPAK (8x8L) de 4 pines