MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 445 A, Reducción, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- Código RS:
- 239-8675
- Referência do fabricante:
- SQJQ112E-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 239-8675
- Referência do fabricante:
- SQJQ112E-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 445A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | PowerPAK (8x8L) | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.00253Ω | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 43nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 255W | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 125°C | |
| Anchura | 4.9 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.15mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 445A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado PowerPAK (8x8L) | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.00253Ω | ||
Modo de canal Reducción | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 43nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 255W | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 125°C | ||
Anchura 4.9 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.15mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El Vishay TrenchFET® es un MOSFET de canal N de potencia Gen IV de automoción que funciona a 100 V y 175 °C de temperatura. Este MOSFET se utiliza para alta densidad de potencia.
Calificación AEC-Q101
Probado conforme a UIS
Encapsulado delgado
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