MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD86N3LH5, VDSS 650 V, ID 55 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 239-6330
- Referência do fabricante:
- STD86N3LH5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 239-6330
- Referência do fabricante:
- STD86N3LH5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 55A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | STD | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 45mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 14nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 70W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 6.2 mm | |
| Certificaciones y estándares | UL | |
| Longitud | 6.6mm | |
| Altura | 2.4mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 55A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie STD | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 45mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 14nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 70W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 6.2 mm | ||
Certificaciones y estándares UL | ||
Longitud 6.6mm | ||
Altura 2.4mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El dispositivo MOSFET STMicroelectronics es un MOSFET de potencia de canal N desarrollado usando la tecnología STripFET H5 de STMicroelectronics. Este dispositivo se ha optimizado para lograr una resistencia de encendido muy baja.
RDSon de baja resistencia de conexión
Alta resistencia a avalancha
Pérdidas de potencia de accionamiento de puerta bajas
Vdss. De 30 V
ID de 80 A.
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