MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPW65R110CFD7XKSA1, VDSS 700 V, ID 22 A, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
236-3673
Referência do fabricante:
IPW65R110CFD7XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

22A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

700V

Serie

CoolMOS

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

110mΩ

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

53nC

Disipación de potencia máxima Pd

127W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

21.1mm

Anchura

5.21 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

16.13mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de súper unión CoolMOS de Infineon con diodo de cuerpo rápido integrado es la elección perfecta para topologías de alta potencia resonante. Es ideal para aplicaciones industriales, como estaciones de carga de servidores, telecomunicaciones, energía solar y EV, en el que permite mejoras significativas de la eficiencia en comparación con la competencia. Tiene una corriente de drenaje de 22 A.

Excelente resistencia de conmutación dura

Margen de seguridad adicional para diseños con mayor tensión de bus

Permite una mayor densidad de potencia

Excelente eficiencia de carga ligera en aplicaciones SMPS industriales

Eficiencia de carga completa mejorada en aplicaciones SMPS industriales

Competitividad de precios en comparación con ofertas alternativas en el mercado

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