MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 33 A, Mejora, TO-247 de 4 pines
- Código RS:
- 222-4728
- Referência do fabricante:
- IPZ65R065C7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 222-4728
- Referência do fabricante:
- IPZ65R065C7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 33A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 700V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 65mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 65nC | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 171W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Altura | 21.1mm | |
| Anchura | 5.21 mm | |
| Longitud | 16.13mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 33A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 700V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie CoolMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 65mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 65nC | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 171W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Altura 21.1mm | ||
Anchura 5.21 mm | ||
Longitud 16.13mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El diseño Infineon de la serie Cool MOS™ C7 combina la experiencia del proveedor líder de MOSFET SJ con una innovación de primera clase. La gama de productos proporciona todas las ventajas de los MOSFET de súper unión de conmutación rápida que ofrecen mejor eficiencia, carga de puerta reducida, fácil implementación y excelente fiabilidad.
Mayor resistencia de mosfet dv/dt
Mejor eficiencia gracias a la mejor FOM RDS(on)*Eoss y RDS(on)*QG de su clase
El mejor RDS(on) /paquete de su clase
Chapado sin plomo, compuesto moldeado sin halógenos
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