MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC004NE2LS5ATMA1, VDSS 25 V, ID 479 A, TDSON de 8 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 bobina de 5000 unidades)*

3 860,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 22 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
5000 +0,772 €3 860,00 €

*preço indicativo

Código RS:
236-3639
Referência do fabricante:
BSC004NE2LS5ATMA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

479A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

25V

Encapsulado

TDSON

Serie

OptiMOS™

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.45mΩ

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

135nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

188W

Tensión directa Vf

1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.1mm

Anchura

6.35 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5.49mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia Infineon OptiMOS ofrece soluciones de referencia al permitir la mayor densidad de potencia y eficiencia energética, tanto en modo en espera como en funcionamiento completo. Ofrece resistencia de estado de fuente de drenaje de 0,45 m Ohm.

Más alta eficacia

La densidad de potencia más alta en encapsulado SuperSO8

Reducción de los costes generales del sistema

En conformidad con RoHS

Libre de halógenos

Links relacionados