MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba SSM3K329R,LF(T, VDSS 30 V, ID 3.5 A, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
236-3574
Referência do fabricante:
SSM3K329R,LF(T
Fabricante:
Toshiba
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Marca

Toshiba

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

289mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

12 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

1.5nC

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

-0.9V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

2.4mm

Anchura

2.9 mm

Altura

0.8mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El transistor de efecto de campo Toshiba compuesto de material de silicio y con tipo MOS de canal N. Se utiliza principalmente en aplicaciones de conmutación de gestión de potencia y conmutación de alta velocidad.

Rango de temperatura de almacenamiento: −55 a 150 °C.

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