MOSFET, N-Canal Infineon ISC030N10NM6ATMA1, VDSS 100 V, ID 179 A, TDSON de 8 pines

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Código RS:
235-4866
Referência do fabricante:
ISC030N10NM6ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

179A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TDSON

Serie

ISC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.8mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

38nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

75W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

1.1mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

3.8mm

Altura

4.4mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia industrial OptiMOS™ 6 100V de Infineon está diseñado para aplicaciones de frecuencia de conmutación alta como fuentes de alimentación de servidores y telecomunicaciones, pero también es la elección ideal para otras aplicaciones como energía solar, herramientas eléctricas y drones. En comparación con los productos alternativos, la tecnología de oblea fina líder de Infineon está permitiendo importantes beneficios de rendimiento.

Carga de recuperación inversa más baja y suave

Ideal para alta frecuencia de conmutación

Potencia nominal de avalancha alta

En conformidad con RoHS

Bajas pérdidas de conducción

Pérdidas de conmutación bajas

Respetuosa con el medio ambiente

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