MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPB330P10NMATMA1, VDSS 100 V, ID 62 A, N, TO-263 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Ver tudo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 1000 unidades)*

1 459,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 3000 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
1000 +1,459 €1 459,00 €

*preço indicativo

Código RS:
235-4848
Referência do fabricante:
IPB330P10NMATMA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

62A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

iPB

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Modo de canal

N

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Los MOSFET de canal P Infineon OptiMOS™ de 100V plg. En encapsulado D²PAK representan la nueva tecnología diseñada para aplicaciones de gestión de batería, conmutación de carga y protección contra polaridad inversa. La principal ventaja de un dispositivo de canal P es la reducción de la complejidad del diseño en aplicaciones de media y baja potencia. Su interfaz sencilla con MCU, conmutación rápida y resistencia a avalancha lo convierten en adecuado para aplicaciones exigentes de alta calidad. Está disponible en el nivel normal con un amplio rango RDS(ON) y mejora la eficiencia con cargas bajas gracias al bajo QG. Se utiliza en gestión de baterías y automatización industrial.

Ideal para frecuencia de conmutación alta y baja

Robustez de avalancha

Encapsulado de montaje superficial de tamaño estándar del sector

Rendimiento sólido y fiable

Aumento de la seguridad del suministro

Links relacionados