MOSFET, Tipo N-Canal ROHM SH8KC6TB1, VDSS 60 V, ID 6.5 A, Mejora, SOP de 8 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 10 unidades)*

7,63 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Informação de stock atualmente indisponível
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
10 - 400,763 €7,63 €
50 - 900,749 €7,49 €
100 - 2400,594 €5,94 €
250 - 9900,581 €5,81 €
1000 +0,408 €4,08 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
235-2812
Referência do fabricante:
SH8KC6TB1
Fabricante:
ROHM
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

ROHM

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

6.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

32mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7.6nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

4.05mm

Anchura

1.75 mm

Altura

5.2mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de baja resistencia de conexión ROHM es ideal para aplicaciones de conmutación. Este producto incluye dos MOSFET 60V en un pequeño encapsulado de montaje superficial.

Chapado sin plomo

Sin halógenos

Links relacionados