Referência do fabricante

MOSFET ROHM, Tipo P, Tipo N-Canal SH8MA4TB1, VDSS 30 V, ID 9 A, SOP, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

Código RS:: 177-6205
Referência do fabricante:: SH8MA4TB1
Fabricante:: ROHM

MOSFET ROHM, Tipo P, Tipo N-Canal SH8MA4TB1, VDSS 30 V, ID 9 A, SOP, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

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Código RS:: 177-6205
Referência do fabricante:: SH8MA4TB1
Fabricante:: ROHM

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	ROHM
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo P, Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	9A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Serie	SH8MA4
	Encapsulado	SOP
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	21.4mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	15.5nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	-1.2V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Disipación de potencia máxima Pd	3W
	Configuración de transistor	Doble
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Anchura	4.05 mm
	Longitud	5.2mm
	Altura	1.6mm
	Certificaciones y estándares	No
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca ROHM
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo P, Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 9A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Serie SH8MA4
	Encapsulado SOP
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 21.4mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15.5nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf -1.2V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Disipación de potencia máxima Pd 3W
	Configuración de transistor Doble
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Anchura 4.05 mm
	Longitud 5.2mm
	Altura 1.6mm
	Certificaciones y estándares No
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

Datasheet

Estado RoHS: Não aplicável

COO (País de Origem):: TH

El SH8MA4TB1 es un MOSFET de encapsulado pequeño de montaje superficial y baja resistencia de conexión. Es adecuado para conmutación.

Baja resistencia de encendido.

Encapsulado pequeño para montaje superficial (SOP8).

Chapado de cable sin plomo

Libre de halógenos.

MOSFET ROHM, Tipo P, Tipo N-Canal SH8MA4TB1, VDSS 30 V, ID 9 A, SOP, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

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