MOSFET, Tipo P, Tipo N-Canal ROHM QH8MB5TCR, VDSS 40 V, ID 5 A, Mejora, TSMT-8 de 8 pines
- Código RS:
- 235-2672
- Referência do fabricante:
- QH8MB5TCR
- Fabricante:
- ROHM
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 10 unidades)*
4,47 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 22 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,447 € | 4,47 € |
| 50 - 90 | 0,439 € | 4,39 € |
| 100 - 240 | 0,348 € | 3,48 € |
| 250 - 990 | 0,338 € | 3,38 € |
| 1000 + | 0,263 € | 2,63 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 235-2672
- Referência do fabricante:
- QH8MB5TCR
- Fabricante:
- ROHM
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P, Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | QH8MB5 | |
| Encapsulado | TSMT-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 44mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 3.5nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.5W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 0.85 mm | |
| Altura | 2.9mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 3.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P, Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie QH8MB5 | ||
Encapsulado TSMT-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 44mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 3.5nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.5W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 0.85 mm | ||
Altura 2.9mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 3.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de canal N y P doble ROHM admite tensión no disruptiva de 40V V. Se ha diseñado para equipos de entrada 24V como equipos de automatización de fábricas y motores montados en estaciones base. Al combinar el canal N + canal P óptimo, se reducen los esfuerzos de diseño. También contribuye a reducir el consumo de energía de los equipos.
Baja resistencia
Encapsulado pequeño para montaje superficial
Chapado de cable sin plomo
En conformidad con RoHS
Sin halógenos
Links relacionados
- MOSFET ROHM QH8MB5TCR, VDSS 40 V, ID 4,5 A, 5 A, TSMT-8 de 8 pines, 2elementos
- MOSFET ROHM, Tipo N, Tipo P-Canal QS8M51HZGTR, VDSS 100 V, TSMT-8, Mejora de 8 pines, 2
- MOSFET, Tipo P-Canal ROHM RQ1E070RPHZGTR, VDSS 30 V, ID 7 A, Mejora, TSMT-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal ROHM RQ1A070ZPHZGTR, VDSS 12 V, ID 7 A, Mejora, TSMT-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal ROHM RQ1E050RPHZGTR, VDSS 30 V, ID 5 A, Mejora, TSMT-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N, Tipo P-Canal ROHM QH8MC5TCR, VDSS 60 V, ID 3.5 A, Mejora, TSMT-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N, Tipo P-Canal ROHM, VDSS 30 V, ID 7 A, Mejora, TSMT de 8 pines
- MOSFET, Tipo N, Tipo P-Canal ROHM QH8MA3TCR, VDSS 30 V, ID 7 A, Mejora, TSMT de 8 pines
