Referência do fabricante

MOSFET ROHM QH8MC5TCR, VDSS 60 V, ID 3 A, 3,5 A, TSMT-8 de 8 pines, 2elementos

Código RS:: 235-2673
Referência do fabricante:: QH8MC5TCR
Fabricante:: ROHM

MOSFET ROHM QH8MC5TCR, VDSS 60 V, ID 3 A, 3,5 A, TSMT-8 de 8 pines, 2elementos

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Código RS:: 235-2673
Referência do fabricante:: QH8MC5TCR
Fabricante:: ROHM

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	ROHM
	Tipo de Canal	N, P
	Corriente Máxima Continua de Drenaje	3 A, 3,5 A
	Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
	Serie	QH8MC5
	Tipo de Encapsulado	TSMT-8
	Tipo de Montaje	Montaje superficial
	Conteo de Pines	8
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente	0,09 (canal N) O, 0,091 (canal P) O
	Modo de Canal	Mejora
	Tensión de umbral de puerta máxima	2.5V
	Número de Elementos por Chip	2

	Selecionar tudo
	Marca ROHM
	Tipo de Canal N, P
	Corriente Máxima Continua de Drenaje 3 A, 3,5 A
	Tensión Máxima Drenador-Fuente 60 V
	Serie QH8MC5
	Tipo de Encapsulado TSMT-8
	Tipo de Montaje Montaje superficial
	Conteo de Pines 8
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente 0,09 (canal N) O, 0,091 (canal P) O
	Modo de Canal Mejora
	Tensión de umbral de puerta máxima 2.5V
	Número de Elementos por Chip 2

Datasheet - QH8MC5TCR

El MOSFET de canal N y P doble ROHM admite tensión no disruptiva de 60V V. Se ha diseñado para equipos de entrada 24V como equipos de automatización de fábricas y motores montados en estaciones base. Al combinar el canal N + canal P óptimo, se reducen los esfuerzos de diseño. También contribuye a reducir el consumo de energía de los equipos.

Baja resistencia

Encapsulado pequeño para montaje superficial

Chapado de cable sin plomo

En conformidad con RoHS

Sin halógenos

MOSFET ROHM QH8MC5TCR, VDSS 60 V, ID 3 A, 3,5 A, TSMT-8 de 8 pines, 2elementos

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