MOSFET, N-Canal Infineon BSC0803LSATMA1, VDSS 100 V, ID 44 A, Mejora, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines
- Código RS:
- 235-0604
- Referência do fabricante:
- BSC0803LSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
1,98 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Últimas unidades em stock
- Última(s) 3745 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 + | 0,396 € | 1,98 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 235-0604
- Referência do fabricante:
- BSC0803LSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 44A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | BSC | |
| Encapsulado | SuperSO8 5 x 6 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 14.6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 7.6nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 52W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 6.35mm | |
| Altura | 1.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5.49mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 44A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie BSC | ||
Encapsulado SuperSO8 5 x 6 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 14.6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7.6nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 52W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 6.35mm | ||
Altura 1.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5.49mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El transistor de potencia OptiMOSTM5 de Infineon funciona con 100 V y una corriente de drenaje de 4 A. La cartera OptiMOSTM5 de Infineon está dirigida a aplicaciones de adaptador y USB-PD. Los productos ofrecen una subida rápida y tiempos de entrega optimizados. Los MOSFET de baja tensión OptiMOS™ para suministro de potencia permiten diseños con menos piezas, lo que reduce los costes de BOM. OptiMOS™ PD incluye productos de calidad en encapsulados compactos y ligeros.
Optimizado para SMPS de alto rendimiento
Probado al 100 % en avalancha
Resistencia térmica superior
Canal N, nivel lógico
Chapado de cable sin plomo; Conformidad con RoHS
Libre de halógenos conforme a IEC61249-2-21
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC0803LSATMA1, VDSS 100 V, ID 44 A, Mejora, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines
- MOSFET de potencia, Canal N-Canal Infineon ISC300N20NM6ATMA1, VDSS 200 V, ID 44 A, Mejora, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 24 A, Mejora, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 100 A, Mejora, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 25 V, ID 100 A, Mejora, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 80 A, Mejora, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 60 A, Mejora, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines