MOSFET, N-Canal Infineon BSC0803LSATMA1, VDSS 100 V, ID 44 A, Mejora, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines

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Código RS:
235-0603
Referência do fabricante:
BSC0803LSATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

44A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

SuperSO8 5 x 6

Serie

BSC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

14.6mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

52W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7.6nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.1mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6.35mm

Longitud

5.49mm

Estándar de automoción

No

El transistor de potencia OptiMOSTM5 de Infineon funciona con 100 V y una corriente de drenaje de 4 A. La cartera OptiMOSTM5 de Infineon está dirigida a aplicaciones de adaptador y USB-PD. Los productos ofrecen una subida rápida y tiempos de entrega optimizados. Los MOSFET de baja tensión OptiMOS™ para suministro de potencia permiten diseños con menos piezas, lo que reduce los costes de BOM. OptiMOS™ PD incluye productos de calidad en encapsulados compactos y ligeros.

Optimizado para SMPS de alto rendimiento

Probado al 100 % en avalancha

Resistencia térmica superior

Canal N, nivel lógico

Chapado de cable sin plomo; Conformidad con RoHS

Libre de halógenos conforme a IEC61249-2-21

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