MOSFET de potencia, Canal N-Canal Infineon ISC300N20NM6ATMA1, VDSS 200 V, ID 44 A, Mejora, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines
- Código RS:
- 762-982
- Referência do fabricante:
- ISC300N20NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
1,97 €
Informações de stock atualmente inacessíveis - Verifique novamente mais tarde
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 1,97 € |
| 10 - 24 | 1,66 € |
| 25 - 99 | 1,03 € |
| 100 - 499 | 1,00 € |
| 500 + | 0,97 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 762-982
- Referência do fabricante:
- ISC300N20NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 44A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Encapsulado | SuperSO8 5 x 6 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 30mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 17nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 136W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 6.1mm | |
| Altura | 1.2mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 44A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Encapsulado SuperSO8 5 x 6 | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 30mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 17nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 136W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 6.1mm | ||
Altura 1.2mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El transistor de potencia OptiMOS 6 de Infineon es un dispositivo de canal N de 200 V diseñado para aplicaciones de potencia eficientes. Dispone de baja resistencia de conexión y carga de recuperación inversa mínima (Qrr). Además, cumple los estándares RoHS, no contiene halógenos y está clasificado como MSL 1 según J-STD-020.
100 % a prueba de avalancha
Temperaturas de funcionamiento: 175°C
Energía de avalancha nominal alta
Chapado sin plomo
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC0803LSATMA1, VDSS 100 V, ID 44 A, Mejora, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines
- Transistor de potencia Infineon, Tipo N-Canal IAUC45N04S6N070HATMA1, VDSS 40 V, ID 45 A, SuperSO8 5 x 6, Mejora de 8
- Transistor de potencia Infineon, Tipo N-Canal IAUC60N04S6N050HATMA1, VDSS 40 V, ID 60 A, SuperSO8 5 x 6, Mejora de 8
- MOSFET de potencia Infineon, Tipo N-Canal IAUC60N04S6N031HATMA1, VDSS 40 V, ID 60 A, SuperSO8 5 x 6, Mejora de 8 pines,
- Transistor de potencia Infineon, Tipo N-Canal, VDSS 40 V, ID 45 A, SuperSO8 5 x 6, Mejora de 8 pines, config. Medio
- Transistor de potencia Infineon, Tipo N-Canal, VDSS 40 V, ID 60 A, SuperSO8 5 x 6, Mejora de 8 pines, config. Medio
- MOSFET de potencia Infineon, Tipo N-Canal, VDSS 40 V, ID 60 A, SuperSO8 5 x 6, Mejora de 8 pines, config. Medio puente
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines