MOSFET de potencia, N-Canal Infineon ISC300N20NM6ATMA1, VDSS 200 V, ID 44 A, Mejora, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines
- Código RS:
- 762-982
- Referência do fabricante:
- ISC300N20NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 unidade)*
3,30 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 824 unidade(s) para enviar a partir do dia 21 de setembro de 2026
- Mais 5000 unidade(s) para enviar a partir do dia 11 de agosto de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 3,30 € |
| 10 - 99 | 2,08 € |
| 100 - 499 | 1,49 € |
| 500 - 999 | 1,21 € |
| 1000 + | 1,14 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 762-982
- Referência do fabricante:
- ISC300N20NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 44A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Encapsulado | SuperSO8 5 x 6 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 30mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 17nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 136W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 1.2mm | |
| Longitud | 6.1mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 5.35mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 44A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Encapsulado SuperSO8 5 x 6 | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 30mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 17nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 136W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 1.2mm | ||
Longitud 6.1mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 5.35mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El transistor de potencia OptiMOS 6 de Infineon es un dispositivo de canal N de 200 V diseñado para aplicaciones de potencia eficientes. Dispone de baja resistencia de conexión y carga de recuperación inversa mínima (Qrr). Además, cumple los estándares RoHS, no contiene halógenos y está clasificado como MSL 1 según J-STD-020.
100 % a prueba de avalancha
Temperaturas de funcionamiento: 175°C
Energía de avalancha nominal alta
Chapado sin plomo
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC0803LSATMA1, VDSS 100 V, ID 44 A, Mejora, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines
- Transistor de potencia Infineon, Tipo N-Canal IAUC45N04S6N070HATMA1, VDSS 40 V, ID 45 A, SuperSO8 5 x 6, Mejora de 8
- Transistor de potencia Infineon, Tipo N-Canal IAUC60N04S6N050HATMA1, VDSS 40 V, ID 60 A, SuperSO8 5 x 6, Mejora de 8
- MOSFET de potencia Infineon, Tipo N-Canal IAUC60N04S6N031HATMA1, VDSS 40 V, ID 60 A, SuperSO8 5 x 6, Mejora de 8 pines,
- Transistor de potencia Infineon, Tipo N-Canal, VDSS 40 V, ID 45 A, SuperSO8 5 x 6, Mejora de 8 pines, config. Medio
- Transistor de potencia Infineon, Tipo N-Canal, VDSS 40 V, ID 60 A, SuperSO8 5 x 6, Mejora de 8 pines, config. Medio
- MOSFET de potencia Infineon, Tipo N-Canal, VDSS 40 V, ID 60 A, SuperSO8 5 x 6, Mejora de 8 pines, config. Medio puente
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines