MOSFET, N-Canal Renesas Electronics RJK0656DPB-00#J5, VDSS 60 V, ID 40 A, Mejora, SOT-669 de 4 pines

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Código RS:
234-7157
Referência do fabricante:
RJK0656DPB-00#J5
Fabricante:
Renesas Electronics
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Marca

Renesas Electronics

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

40A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOT-669

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.6mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

15nC

Disipación de potencia máxima Pd

45W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia única de canal N de Renesas Electronics es adecuado para aplicaciones de conmutación y conmutación de carga. Tiene una alta tensión de ruptura de 60 V. Es capaz de accionar una puerta de 4,5 V.

Conmutación de alta velocidad

Corriente de accionamiento baja

Montaje de alta densidad

Baja resistencia de conexión

Sin plomo

Sin halógenos

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