MOSFET, N-Canal Renesas Electronics RJK0651DPB-00#J5, VDSS 60 V, ID 25 A, Mejora, SOT-669 de 4 pines
- Código RS:
- 234-7154
- Referência do fabricante:
- RJK0651DPB-00#J5
- Fabricante:
- Renesas Electronics
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- Código RS:
- 234-7154
- Referência do fabricante:
- RJK0651DPB-00#J5
- Fabricante:
- Renesas Electronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Renesas Electronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 25A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SOT-669 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 14mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 45W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 15nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Renesas Electronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 25A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SOT-669 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 14mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 45W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia única de canal N de Renesas Electronics es adecuado para aplicaciones de conmutación y conmutación de carga. Tiene una alta tensión de ruptura de 60 V. Es capaz de accionar una puerta de 4,5 V.
Conmutación de alta velocidad
Corriente de accionamiento baja
Montaje de alta densidad
Baja resistencia de conexión
Sin plomo
Sin halógenos
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