MOSFET, N-Canal Renesas Electronics RJK0651DPB-00#J5, VDSS 60 V, ID 25 A, Mejora, SOT-669 de 4 pines

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Código RS:
234-7155
Referência do fabricante:
RJK0651DPB-00#J5
Fabricante:
Renesas Electronics
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Marca

Renesas Electronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

25A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOT-669

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

14mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

15nC

Disipación de potencia máxima Pd

45W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia única de canal N de Renesas Electronics es adecuado para aplicaciones de conmutación y conmutación de carga. Tiene una alta tensión de ruptura de 60 V. Es capaz de accionar una puerta de 4,5 V.

Conmutación de alta velocidad

Corriente de accionamiento baja

Montaje de alta densidad

Baja resistencia de conexión

Sin plomo

Sin halógenos

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