MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC074N15NS5ATMA1, VDSS 150 V, ID 114 A, N, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines

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Código RS:
234-6989
Referência do fabricante:
BSC074N15NS5ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

114A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Serie

BSC

Encapsulado

SuperSO8 5 x 6

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

9.2mΩ

Modo de canal

N

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

46W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

10nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.2mm

Longitud

5.35mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6.1 mm

Estándar de automoción

No

Los MOSFET de canal N de Infineon OptiMOSTM en encapsulado SuperSO8 amplían la cartera de productos OptiMOSTM 3 y 5 y permiten una mayor densidad de potencia además de mejorar la robustez, respondiendo a la necesidad de un coste del sistema más bajo y un mayor rendimiento. La carga de recuperación inversa baja (Qrr) mejora la fiabilidad del sistema al proporcionar una reducción significativa del exceso de tensión, lo que minimiza la necesidad de circuitos de desconexión, lo que resulta en menos costes y esfuerzos de ingeniería. Tiene una corriente de drenaje continua máxima de 114 A y una tensión de fuente de drenaje máxima de 150 V. Es ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona.

El RDS(on) más bajo permite la mayor densidad de potencia y eficiencia

Temperatura de funcionamiento nominal superior a 175 °C para mayor fiabilidad

RthJC bajo para un excelente comportamiento térmico

Carga de recuperación inversa inferior (Qrr)

RDS(on) de resistencia encendida muy baja

Carga de recuperación inversa muy baja (Qrr)

Tiene chapado de cable sin plomo.

Conforme a RoHS

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