MOSFET, Tipo N-Canal Infineon ISC012N04LM6ATMA1, VDSS 40 V, ID 238 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- Código RS:
- 233-4395
- Referência do fabricante:
- ISC012N04LM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 10 unidades)*
13,80 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 4950 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 1,38 € | 13,80 € |
| 50 - 90 | 1,312 € | 13,12 € |
| 100 - 240 | 1,256 € | 12,56 € |
| 250 - 490 | 1,201 € | 12,01 € |
| 500 + | 1,118 € | 11,18 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 233-4395
- Referência do fabricante:
- ISC012N04LM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 238A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | ISC | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 125W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 64nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.1mm | |
| Altura | 5.35mm | |
| Anchura | 1.2 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 238A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie ISC | ||
Encapsulado TDSON | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 125W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 64nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.1mm | ||
Altura 5.35mm | ||
Anchura 1.2 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
La familia de MOSFET de potencia OptiMOS 6 de Infineon de 40 V tiene una resistencia de conexión RDS(on) muy baja y está optimizada para aplicación síncrona.
Temperatura de funcionamiento nominal superior hasta 175 °C.
Rendimiento térmico superior
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 238 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 100 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 120 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 41 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 60 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 100 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 42 A, Mejora, TDSON de 8 pines