MOSFET, Tipo N-Canal Infineon ISC0702NLSATMA1, VDSS 60 V, ID 135 A, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 232-6753
- Referência do fabricante:
- ISC0702NLSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
9,48 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 9870 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,896 € | 9,48 € |
| 50 - 120 | 1,706 € | 8,53 € |
| 125 - 245 | 1,592 € | 7,96 € |
| 250 - 495 | 1,478 € | 7,39 € |
| 500 + | 1,382 € | 6,91 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 232-6753
- Referência do fabricante:
- ISC0702NLSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 135A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.5mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 100W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 56nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 5.35mm | |
| Anchura | 1.2 mm | |
| Longitud | 6.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 135A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.5mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 100W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 56nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 5.35mm | ||
Anchura 1.2 mm | ||
Longitud 6.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia OptiMOS PD de 60 V de Infineon está diseñado para aplicaciones de adaptador y USB-PD. Los productos ofrecen una aceleración rápida y plazos de entrega optimizados. Los MOSFET de baja tensión OptiMOS para suministro de alimentación permiten diseños con menos piezas, lo que permite reducir los costes de la lista de materiales. OptiMOS PD incluye productos de calidad en encapsulados compactos y ligeros.
Disponibilidad de nivel lógico
Excelente comportamiento térmico
100 % a prueba de avalancha
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 135 A, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 57 A, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 8 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon ISC0703NLSATMA1, VDSS 60 V, ID 57 A, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF7351TRPBF, VDSS 60 V, ID 8 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 3.44 A, P, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS -30 V, ID -8 A, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon BSO613SPVGXUMA1, VDSS 60 V, ID 3.44 A, P, SO-8 de 8 pines