MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 135 A, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 232-6752
- Referência do fabricante:
- ISC0702NLSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 5000 unidades)*
3 235,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio de 5000 unidade(s) a partir do dia 15 de setembro de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,647 € | 3 235,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 232-6752
- Referência do fabricante:
- ISC0702NLSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 135A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.5mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 56nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 100W | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.1mm | |
| Altura | 5.35mm | |
| Anchura | 1.2mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 135A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.5mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 56nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 100W | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.1mm | ||
Altura 5.35mm | ||
Anchura 1.2mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie OptiMOS 5 de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 60 V, corriente de drenaje continua máxima de 135 A - ISC0702NLSATMA1
Este MOSFET es un transistor de potencia de canal N de alta corriente diseñado para aplicaciones de montaje en superficie en las que se requiere una conmutación eficiente y una resistencia térmica. Funciona en un amplio rango de temperaturas y está diseñado para funciones de conmutación y conversión de potencia en sistemas electrónicos exigentes.
Características y ventajas:
• La baja resistencia de encendido de 3.5 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• La corriente de drenaje continua nominal de 135 A admite cargas pesadas
• La tensión de drenaje-fuente de 60 V permite etapas de potencia de tensión más altas
• La disipación de potencia de 100 W permite una carga térmica sostenida
• La carga de puerta típica de 56 nC proporciona transiciones de conmutación eficientes
• El umbral de puerta de 20 V admite amplias amplitudes de accionamiento de puerta
• La corriente de drenaje continua nominal de 135 A admite cargas pesadas
• La tensión de drenaje-fuente de 60 V permite etapas de potencia de tensión más altas
• La disipación de potencia de 100 W permite una carga térmica sostenida
• La carga de puerta típica de 56 nC proporciona transiciones de conmutación eficientes
• El umbral de puerta de 20 V admite amplias amplitudes de accionamiento de puerta
Aplicaciones
• Adecuado para etapas de potencia de canal N en convertidores dc-dc
• Se utiliza con fuentes de alimentación de montaje en superficie de alta corriente
• Ideal para módulos de alimentación SO-8 compactos en convertidores
• Se puede utilizar para conmutación de uso general en sistemas de alimentación
• Adecuado para la sustitución en funciones de transistor de potencia de alta corriente
• Se utiliza con fuentes de alimentación de montaje en superficie de alta corriente
• Ideal para módulos de alimentación SO-8 compactos en convertidores
• Se puede utilizar para conmutación de uso general en sistemas de alimentación
• Adecuado para la sustitución en funciones de transistor de potencia de alta corriente
¿Qué rango ambiente puede tolerar durante el funcionamiento?
Funciona a temperaturas de –55 a 175 °C.
¿Cuántos contactos proporciona el encapsulado para montaje en PCB?
Se suministra en un encapsulado de montaje en superficie SO-8 de 8 contactos.
¿Qué característica de conducción directa afecta a la caída de conducción?
El dispositivo tiene una tensión directa de 1,1 V que influye en la caída de tensión en estado activo.
¿Qué limitaciones de huella física deben tener en cuenta los diseñadores?
El encapsulado mide 6,1 mm de longitud, 5,35 mm de altura y 1,2 mm de anchura.
¿Qué tipo de canal y método de montaje utiliza?
Utiliza una arquitectura de canal N y está diseñado para montaje en superficie.
Links relacionados
- MOSFET, N-Canal Infineon ISC0702NLSATMA1, VDSS 60 V, ID 135 A, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 57 A, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 8 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon ISC0703NLSATMA1, VDSS 60 V, ID 57 A, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon IRF7351TRPBF, VDSS 60 V, ID 8 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS -30 V, ID -12 A, SO-8
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 6.5 A, SO-8
- MOSFET, N-Canal Infineon IRF9388TRPBF, VDSS -30 V, ID -12 A, SO-8