MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 135 A, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 232-6752
- Referência do fabricante:
- ISC0702NLSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 5000 unidades)*
2 545,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 5000 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,509 € | 2 545,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 232-6752
- Referência do fabricante:
- ISC0702NLSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 135A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.5mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 56nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 100W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 6.1mm | |
| Altura | 5.35mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 1.2 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 135A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.5mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 56nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 100W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 6.1mm | ||
Altura 5.35mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 1.2 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia OptiMOS PD de 60 V de Infineon está diseñado para aplicaciones de adaptador y USB-PD. Los productos ofrecen una aceleración rápida y plazos de entrega optimizados. Los MOSFET de baja tensión OptiMOS para suministro de alimentación permiten diseños con menos piezas, lo que permite reducir los costes de la lista de materiales. OptiMOS PD incluye productos de calidad en encapsulados compactos y ligeros.
Disponibilidad de nivel lógico
Excelente comportamiento térmico
100 % a prueba de avalancha
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon ISC0702NLSATMA1, VDSS 60 V, ID 135 A, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 57 A, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 8 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon ISC0703NLSATMA1, VDSS 60 V, ID 57 A, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF7351TRPBF, VDSS 60 V, ID 8 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 3.44 A, P, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon BSO613SPVGXUMA1, VDSS 60 V, ID 3.44 A, P, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS -30 V, ID -8 A, SO-8 de 8 pines