MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IGLD60R190D1AUMA3, VDSS 600 V, ID 10 A, Mejora, LSON de 8 pines
- Código RS:
- 232-0419
- Referência do fabricante:
- IGLD60R190D1AUMA3
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
3,64 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Últimas unidades em stock
- Última(s) 2040 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 3,64 € |
| 10 - 24 | 3,46 € |
| 25 - 49 | 3,37 € |
| 50 - 99 | 3,17 € |
| 100 + | 2,95 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 232-0419
- Referência do fabricante:
- IGLD60R190D1AUMA3
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | LSON | |
| Serie | CoolGaN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 190mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado LSON | ||
Serie CoolGaN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 190mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El transistor de potencia de modo de mejora Infineon 600V ofrece una velocidad de encendido y apagado rápida, pérdidas de conmutación mínimas y permite topologías de medio puente sencillas con la máxima eficiencia. La serie CoolGaN 600V de nitruro de galio está calificada conforme a una cualificación completa adaptada a GaN muy por encima de los estándares existentes. Mejora la eficiencia del sistema, mejora la densidad de potencia y permite una mayor frecuencia de funcionamiento.
Conmutación ultrarrápida
Sin cargo por recuperación inversa
Capaz de conducción inversa
Carga de puerta baja, carga de salida baja
Resistencia de conmutación superior
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 10 A, Mejora, LSON de 8 pines
- Transistor de potencia Infineon, VDSS 600 V, ID 15 A, Mejora, PG-LSON-8-1 de 8 pines
- Transistor de potencia Infineon IGLD60R070D1AUMA3, VDSS 600 V, ID 15 A, Mejora, PG-LSON-8-1 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 16 A, Mejora, VSON de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 29 A, Mejora, ThinPAK de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 5 A, Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 17 A, Mejora, ThinPAK de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 19 A, Mejora, ThinPAK de 5 pines