MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 22.4 A, Mejora, VSON de 5 pines
- Código RS:
- 214-9073
- Referência do fabricante:
- IPL60R180P6AUMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 214-9073
- Referência do fabricante:
- IPL60R180P6AUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 22.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | VSON | |
| Serie | CoolMOS P6 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 180mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 176W | |
| Tensión directa Vf | 900mV | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 44nC | |
| Altura | 1.1mm | |
| Anchura | 8.1mm | |
| Longitud | 8.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 22.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado VSON | ||
Serie CoolMOS P6 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 180mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 176W | ||
Tensión directa Vf 900mV | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 44nC | ||
Altura 1.1mm | ||
Anchura 8.1mm | ||
Longitud 8.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Infineon CoolMOS es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. La serie CoolMOS P6 combina la experiencia del proveedor líder de MOSFET SJ con una innovación de alta calidad. Los dispositivos ofrecidos proporcionan todas las ventajas de un MOSFET SJ de conmutación rápida sin sacrificar la facilidad de uso. Las pérdidas de conducción y conmutación extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, más compactas, más ligeras y más frías.
Mayor resistencia de mosfet dv/dt
Fácil de usar/conducir
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