MOSFET onsemi, Tipo P-Canal NTMC083NP10M5L, VDSS 100 V, ID 4.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2

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Opções de embalagem:
Código RS:
230-9092
Referência do fabricante:
NTMC083NP10M5L
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

NTMC0

Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

83mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

3.1W

Tensión directa Vf

800mV

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

El MOSFET de canal n y canal P doble de ON Semiconductor tiene una tensión de drenaje a fuente de 100 V. Se utiliza típicamente para rectificación síncrona y conversión dc-dc.

Pequeño tamaño (5 x 6 mm) para un diseño compacto

Pérdida de conducción baja

RDS(on) bajo para minimizar las pérdidas de conducción

Huella estándar

QG y capacitancia bajos para minimizar las pérdidas del conductor

La pieza no está protegida contra ESD

Estos dispositivos son sin plomo, sin halógenos/sin BFR y cumplen con RoHS

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